山西双掺CeYAP晶体性能

有时线性吸收系数被质量吸收系数微米=/d (d袋表密度)代替。因为质量吸收系数与材料的晶体结构和相态无关。与卤素化合物晶体相比，氧化物晶体具有优异的热力学性质和稳定的化学性质。因此，铈离子掺杂的无机氧化物闪烁晶体，包括铝酸盐、硅酸盐、硼酸盐和磷酸盐，已经引起了极大的关注和光泛的研究。下表总结了铈离子掺杂氧化物和硫化物闪烁晶体的基本闪烁特性。由表可知，大多数掺铈离子的氧化物闪烁晶体具有高光输出和快速衰减的特性，尤其是掺铈离子的铝酸盐和硅酸盐闪烁晶体具有诱人的闪烁特性，如Ce:YAP、Ce3360YAG、Ce:LSO和Ce3360Lyso，被认为是新一代高性能无机闪烁晶体。CeYAP晶体具有优良的闪烁性能，其主要特点是光产额大，衰减时间短。山西双掺CeYAP晶体性能

电子元器件行业规模不断增长，国内市场表现优于国际市场，多个下游企业的应用前景明朗，电子元器件行业具备广阔的发展空间和增长潜力。闪烁过程的第四阶段可以称为迁移阶段，因为迁移的电子激发并向发光中心转移能量。通过电子空穴对与激子转移能量是可能的。在第一种情况下，通过依次捕获一个空穴和一个电子(电子复合发光)或者依次捕获一个电子和空穴(空穴复合发光)来激发发光中心。比如碱卤晶体中的Tl和Ag主要是通过电子复合发光。山西双掺CeYAP晶体性能Ce和Mn: YAP的衰变时间明显短于Ce、Mn : YAP，其快、慢成分分别为10.8ns和34.6 ns。

铈离子掺杂的高温闪烁晶体具有高光输出快衰减等闪烁特征，是无机闪烁晶体的一个重要发展方向，而Ce:YAP和Ce:YAG是其中较有优势的晶体。随着应用需求的变化，对闪烁晶体尺寸的要求也在不断增加，生长大尺寸的闪烁晶体变得更为重要。同时国内目前生长的Ce:YAP 晶体普遍存在自吸收问题，导致光产额一直无法有效提高，且其机理至今仍不清楚。为了有效提高Ce:YAP 晶体的闪烁性能，解决其自吸收问题，提高晶体的发光强度，着重研究了Ce:YAP 晶体的自吸收机理。同时为了得到大尺寸高发光效率的Ce:YAG晶体，用温梯法尝试了大尺寸Ce:YAG晶体的生长，并对晶体的比较好热处理条件进行了摸索。本论文主要围绕大尺寸Ce:YAP晶体的生长及其自吸收问题，和温梯法大尺寸Ce:YAG晶体的生长和退火研究，以真正提高晶体的实用性能。

Ce: YAG 闪烁晶体的生长参数：根据Ir坩埚的尺寸以及热场条件，通过观察YAP熔体对流状态，本论文选择晶体转速为10-20RPM；考虑到Ce离子在YAP晶体中的分凝系数较大（约为0.5）和晶体的尺寸（Φ55mm），实验中选用了1-2mm/h的提拉速度。生长流程：装炉→抽真空→充气→升温化料→烤晶种→下种→缩颈→生长→提拉→降温→取出晶体进行退火。在装炉时，为了保证炉体内径向温度轴对称分布，线圈中心、石英管中心、坩埚中心及籽晶中心应该保持一致。Ce:YAP晶体的吸收光谱和荧光光谱受不同的生长方法和不同的后热处理工艺的影响很大。

无机晶体中的载流子热化时间为10-11 s到10-12s，比电子之间的弛豫时间长(一般为10-13 s到10-15 s)，因此可以认为电子-电子弛豫过程和电子-声子弛豫过程依次发生。在空间坐标下，热化过程可以表示为具有一定特征长度L的载流子迁移过程，对于离子晶体，L为102 ~ 103nm；对于典型的半导体，l大于103纳米。限制载流子迁移的散射中心是晶体中存在的固有缺陷和杂质缺陷。中性点缺陷散射的低能电子的截面与该点缺陷的几何截面有关。对于带电点缺陷，散射与库仑势有关，散射截面可用0的卢瑟福公式计算。不同厚度Ce:YAP晶体自吸收比较。通过分析Ce: YAP晶体的自吸收机制，发现在YAP中存在一个Ce4离子的宽带电荷转移吸收峰。福建生长CeYAP晶体直销

研究表明，Ce4离子对Ce3离子发光有猝灭作用。山西双掺CeYAP晶体性能

CeYAG晶体应该如何退火？研究了Ce:YAP晶体的自吸收机制。在实际应用中，国产Ce: YAP晶体存在严重的自吸收问题，直接影响晶体的发光效率。比较了铈离子浓度、退火、辐照和杂质对铈： YAP晶体自吸收的影响。通过分析Ce: YAP晶体的自吸收机制，发现在YAP中存在一个Ce4离子的宽带电荷转移吸收峰，其半峰全宽接近100纳米。结果表明，还原Ce4离子可以被Ce: YAP晶体的自吸收，Ce4离子可以明显猝灭Ce3离子的发光。 不同气氛生长Ce:YAP晶体透过和荧光谱有什么不同？山西双掺CeYAP晶体性能

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